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DIODE de Bruit, ISSN-03: 220 - 330 GHz

Référence: ELVA-1 ISSN-03 : 220 - 330 GHz

État: Nouveau

Diode de bruit ELVA-1, référence : ISSN 03

Cette diode couvre la bande 220 GHz à 330 GHz avec un ENR typique de 45 dB, une stabilité de 0,05 dB par jour.

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DIODE de Bruit, ISSN-03: 220 - 330 GHz

Diode de bruit ELVA-1, référence : ISSN 03

Cette diode couvre la bande 220 GHz à 330 GHz avec un ENR typique de 45 dB, une stabilité de 0,05 dB par jour.

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DESCRIPTION :

Conception compacte à semi-conducteurs, une diode IMPATT au silicium est utilisé comme élément de base.

ENR stable jusqu'à 50 dB (ENR > 45 dB typique)
Bonne planéité sur la bande
Aucune haute tension requise

Les industries électroniques encouragent l’utilisation de composants à ondes submillimétriques. En conséquence, une source de bruit submillimétrique est nécessaire pour tester et calibrer ces composants.

L'expansion de la future industrie des communications reposera sur gamme supplémentaire de 130+ GHz pour des canaux de communication supplémentaires.
Ces appareils de communication fonctionnant dans un spectre aussi élevé nécessitent des sources de bruit pour tester leur plage dynamique et leur sensibilité.
Pour la première fois dans l'industrie, des sources de bruit à semi-conducteurs de 220 à 330 GHz et 140-220 GHz ont été développés par ELVA-1. Ces sources à l'état solide couvre toutes les bandes du guide d'ondes, c'est-à-dire fournit un niveau de bruit élevé avec une densité spectrale de puissance dans toute la plage de fréquences du guide d'ondes.
Comme pour les autres sources de bruit à semi-conducteurs ELVA-1, une diode IMPATT au silicium est utilisé comme élément fondamental de la source.

Applications :

 Laboratory measurement and test equipment
 Mm-wave noise source
 Calibration
 Noise figure measurement